Компания IBM совместно с партнерами по разработке - AMD, Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale, Infineon и Samsung - объявили о крупном достижении в создании технологии производства микросхем по 32-нм технологическому процессу.

Впервые о подходе, использующем в качестве подзатворного изолирующего слоя веществ с высокой диэлектрической проницаемостью, IBM и ее партнеры сообщили в январе текущего года. Сообщение было воспринято как одно из крупнейших достижений в полупроводниковой технологии за последние полвека.

До сих пор при производстве микросхем используют в качестве диэлектрика диоксид кремния, толщина которого в 65-нм технологическом процессе сократилась до 1,2 нм (примерно размер 5 атомов). Однако дальнейшая миниатюризация и сокращение изолирующего слоя ведет к росту тока утечки и, соответственно, диссипации энергии.

Разработчикам из IBM удалось тогда снизить ток утечки на два порядка за счет использования диэлектрика на основе гафния. Изготовленные в настоящее время экспериментальные образцы микросхем оказались на 50% меньше предыдущих, они потребляют энергии на 45% меньше. Эти параметры позволят существенно сократить размеры мобильных устройств и время их эксплуатации до перезарядки. Было продемонстрировано также, что использование новых чипов в качестве микропроцессоров увеличило их производительность на 30%.

IBM совместно с ее партнерами по разработке сообщили также о создании опытного модуля памяти SRAM, выполненного по новой 32-нм технологии. Модуль памяти работает при меньшем напряжении, что позволит значительно увеличить продолжительность работы мобильных устройств - сотовых телефонов, пейджеров, КПК. Разработка готового модуля SRAM - важный показатель готовности новой технологии в целом, сообщает IBM.